- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11585 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS]
Détention brevets de la classe H01L 27/11585
Brevets de cette classe: 136
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
25 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
16 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
14 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
10 |
| Intel Corporation | 45621 |
10 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
6 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
5 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
4 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
3 |
| NaMLab gGmbH | 23 |
3 |
| Sony Corporation | 32931 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
2 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
2 |
| Purdue Research Foundation | 3277 |
2 |
| Fudan University | 585 |
2 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
2 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 9632 |
1 |
| Lam Research Corporation | 4775 |
1 |
| Autres propriétaires | 22 |